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UMAX DDR3-1600 4GB (1.35V低電壓) 筆記型記憶體















在資訊海量的時代UMAX DDR3-1600 4GB (1.35V低電壓) 筆記型記憶體是現在的科技趨勢!


UMAX DDR3-1600 4GB (1.35V低電壓) 筆記型記憶體在效能與穩定性達到一定的階段之後,


勝負的關鍵除了更細緻的性能調教與提升之外,


售後服務與保固以及產品的延伸使用就成為關鍵,


換句話說就是看誰比較貼心,


UMAX DDR3-1600 4GB (1.35V低電壓) 筆記型記憶體在這方面就具有優勢。








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商品訊息描述:











UMAX DDR3-1600 4GB (1.35V低電壓) 筆記型記憶體











產品特色



★FBGA封裝提供更佳的散熱性能

★精選顆粒/高度相容性保證

★1600MHz高速提升效能

★100%嚴密測試

★終身保固

★符合RoHS的規範

★1.35V高效節能超經濟

★JEDEC國際規範



商品訊息簡述:

品牌UMAX
記憶體組模SO-DIMM
記憶體類型DDR3
單條容量4G
入數1
型號DDR3-1600 4GB
工作頻率(MHz)1600MHz
電壓(V)1.35V
CL值11
保固終身保固


UMAX DDR3-1600 4GB (1.35V低電壓) 筆記型記憶體

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勇士前鋒格林(Draymond Green),在密西根東蘭辛市遭逮,原因是和路人起衝突,而賞了對方一記巴掌,最後因傷害罪遭逮。警方表示:「基本上是兩位男子間的衝突,沒有人受傷。」格林凌晨2時30分離開當地一間餐廳後,與1位男子起衝突而出手,警方無法確認是揮拳還是巴掌,但確定不僅僅是推擠,而當時剛好有員警巡邏路過而發現這起衝突。格林被逮捕後以200美元交保,7月20日要到庭說明,格林被控的傷害罪若成立,最高可處以93天刑期以及500美元罰金,由於格林是美國男籃成員之一,這起事件恐影響他參加18日到21日在拉斯維加斯進行的備戰里約奧運訓練營。勇士球團也發布聲明表示:「我們目前已得知格林在密西根發生的事件,現在還在收集相關訊息,在更了解狀況前,我們不會做出其他評論。」
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